Японские ученые из лаборатории Fujitsu Laboratories (Кавасаки) разработали новые транзисторы на основе нитрида галлия. Эти транзисторы помогут сделать преобразователь достаточно маленьким, чтобы разместить его, например, внутри корпуса ноутбука, поэтому отпадет необходимость носить с собой отдельный адаптер.

Потери, которые несут устройства преобразования переменного тока в постоянный, можно сократить на одну треть, если использовать в преобразователях вместо кремниевых транзисторов новые транзисторы на основе нитрида галлия.

Электрический прибор, который создает устойчивый постоянный ток из источника переменного тока, основан на транзисторах, которые могут моментально переключаться из проводящего состояния в непроводящее.

Обычные кремниевые транзисторы могут терять существенное количество энергии (ток утечки) во время переключения из-за изменения свойств материала при высоком напряжении (пробивное напряжение).

Однако у нитрида галлия (GaN) напряжение пробоя более высокое, и это сводит к минимуму такие потери. Транзисторы на основе нитрида галлия также работают на более высоких частотах, что позволит производителям уменьшить размер катушек трансформатора в адаптере.

Все идет к тому, что к 2011 году размеры адаптеров уменьшатся до одной десятой сегодняшнего размера.

Впервые Fujitsu планирует применить новые технологии в огромных, жадных до электричества информационных центрах (датацентрах), где, по уверениям фирмы, удастся снизить расход электричества на 12 процентов.

По материалам: globalscience.ru,  newscientist.com