Реферат: Новые технологии в организации PC
При этом адреса, не попадающие в диапазон GART (GART range), не изменяются и непосредственно отображаются на системную память или область памяти устройства (device specific range). На рисунке в качестве такой области показан локальный фрейм-буфер карты (Local Frame Buffer или LFB). Точный вид и функционирование GART не определены и зависят от управляющей логики карты.
Шина AGP полностью поддерживает операции шины PCI, поэтому AGP-траффик может представлять из себя смесь чередующихся AGP и PCI операций чтения/записи. Операции шины AGP являются раздельными (split). Это означает, что запрос на проведение операции отделен от собственно пересылки данных.
Такой подход позволяет AGP-устройству генерировать очередь запросов, не дожидаясь завершения текущей операции, что также повышает быстродействие шины.
В 1998 году спецификация шины AGP получила дальнейшее развитие - вышел Revision 2.0. В результате использования новых низковольтных электрических спецификаций появилась возможность осуществлять 4 транзакции (пересылки блока данных) за один 66-мегагерцовый такт (AGP 4x), что означает пропускную способность шины в 1GB/сек! Единственное, чего не хватает для полного счастья, так это чтобы устройство могло динамически переключаться между режимами 1х, 2х и 4х, но с другой стороны, это никому и не нужно.
Однако потребности и запросы в области обработки видеосигналов все возрастают, и Intel готовит новую спецификацию - AGP Pro (в настоящее время доступен Revision 0.9) - направленную на удовлетворение потребностей высокопроизводительных графических станций. Новый стандарт не видоизменяет шину AGP. Основное направление - увеличение энергоснабжения графических карт. С этой целью в разъем AGP Pro добавлены новые линии питания.
Предполагается, что будет существовать два типа карт AGP Pro - High Power и Low Power. Карты High Power могут потреблять от 50 до 110W. Естественно, такие карты нуждаются в хорошем охлаждении. С этой целью спецификация требует наличия двух свободных слотов PCI с component side (стороны, на которой размещены основные чипы) карты.
При этом данные слоты могут использоваться картой как дополнительные крепления, для подвода дополнительного питания и даже для обмена по шине PCI! При этом на использование этих слотов накладываются лишь незначительные ограничения.
При использовании слотов для подвода дополнительного питания:
· Не использовать для питания линии V I/O;
· Не устанавливать линию M66EN (контакт 49В) в GND (что вполне естественно, так как это переводит шину PCI в режим 33 MHz).
При использовании слота для обмена по шине:
· Подсистема PCI I/O должна разрабатываться под напряжение 3.3V c возможностью функционирования при 5 V.
Поддержка 64-разрядного или 66 MHz режимов не требуется.
Карты Low Power могут потреблять 25-50W, поэтому для обеспечения охлаждения спецификация требует наличия одного свободного слота PCI.
При этом все retail-карты AGP Pro должны иметь специальную накладку шириной соответственно в 3 или 2 слота, при этом карта приобретает вид достаточно устрашающий.
При этом в разъем AGP Pro можно устанавливать и карты AGP.
3. Registered DIMM SDRAM
Я думаю, что все знают, что модули оперативной памяти обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM, ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.
Для начала надо сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра особенно нравится, так как первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).
Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.
Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Сама IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, а также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti.
| <TBODY> |
SDR RDIMM |
DDR RDIMM |
| Время прерывания (циклов) (Burst length ) | 2, 4, 8 | 2, 4, 8 |
| Тип прерывания (Burst type) | Последовательное чередование (sequential interleave) | последовательное чередование (sequential interleave) |
| Число тактов для работы с памятью (CAS latency) | 2, 3, 4 | 2, 2.5, 3 |
| Режим работы | Нормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode) | Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLL</TBODY> |
Из таблицы мы видим, что SDR является упрощенным вариантом DDR RDIMM SDRAM. Особенности DDR заключаются в следующем:
· Работа на частоте 125, 133 и 143 MHz за 2, 2,5 и 3 такта (CAS latency = 3), в зависимости от разновидности модулей
· Однотактовое формирование сигнала RAS (Signal-pulsed RAS interface)
· Встроенный блок DLL (Delay Locked Loop), который синхронизирует вывод информации с частотой ее ввода
· Возможность отключения блока DLL через функцию расширенного режима регистрирования (например для экономии питания)
· Удвоенная скорость обмена данных (DDR)
· Двунаправленный поток данных
· Полная синхронизация
· Программируемый тип и длина прерываний
· Прерывание операций чтения (специальной командой прерывания) и записи. Смена операций осуществляется последовательно
· Четыре банка (Bank) памяти
· Способность работы при пониженном потреблении питания
· Операции чтения и записи выполняются за 4 и 8 циклов (соответственно), операция контроля затрачивает удвоенное количество циклов на соответствующую операцию
· Произвольный доступ к столбцам (в памяти)
· Ждущий режим и режим пониженного питания
· 4096/8192 циклов обновления для 64 и 256 мб модулей
· Автоматические, контролируемые команды дозарядки (Automatic and controlled precharge command). Энергия, подаваемая на модуль памяти может быть неодинаковой.
· Вольтаж: 3,3В
Данный набор характеристик не является окончательным перечнем характеристик DDR SDRAM для RDIMM, а потому может быть модифицирован в будущих стандартных DDR SDRAM, однако благодаря таким нововведения получаем: проускная способность на пин составляет 200 Мбайт (200Мбайт/пин).
4. Новые технологии памяти: DDR SDRAM
Уже давно, еще со времен 486 процессоров, отставание скорости системной шины PC от скорости убыстряющихся CPU все более увеличивалось. Именно тогда Intel впервые отказался от частоты процессоров, синхронной с частотой системной шины, и применил технологию умножения частоты FSB. Этот факт отразился даже в названии - 486DX2. Хотя частота системной шины осталась той же, несмотря на название, производительность процессора выросла почти вдвое.
В дальнейшем разброд в тактовой частоте различных системных компонентов только увеличивался: в то время, как частота системной шины выросла сначала до 66 МГц, а затем и до 100, шина PCI осталась все на тех же давних 33 МГц, для AGP стандартной является 66 МГц и т.д. Шина памяти же до самого последнего времени оставалась синхронной с системной шиной (название обязывает - Synchronous DRAM, SDRAM). - Так появились спецификации PC66, затем PC100, потом, с несколько большими организационными усилиями, PC133 SDRAM.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
