Реферат: Перспективные интерфейсы оперативной памяти
Вообще, существует три разновидности памяти RDRAM, представляющие собой некую эволюцию развития технологии: Base (BRDRAM), Concurrent (CRDRAM) и Direct (DRDRAM). Отличие первого и второго совсем небольшие, а вот изменения последнего просто революционны. Причем, технологии Base и Concurrent настолько сильно переплетаются, что, в принципе, это одно и тоже.
Таблица 1.1
Характеристики различных видов памяти RDRAM
|
Основные типы технологии RDRAM |
|||
|
Параметр |
Base RDRAM |
Concurrent RDRAM |
Direct RDRAM |
| Частота синхронизации | 250-300 MГц | 300-350 MГц | 400 MГц |
| Результирующая частота (с учетом DDR) | 500-600 MГц | 600-700 MГц | 800 MГц |
| Пиковая пропускная способность | 500-600 Mбайт/с | 600-700 Mбайт/с | 1.6 Гбайт/с |
| Шина данных (базовая/ECC) | 8/9 бит | 8/9 бит | 16/18 бит |
| Загрузка 32bit протокола | 60% | 80% | 97-100 % |
| Интерфейс общего питания (CMOS) | 3.3 В | 3.3 В | 2.5 В |
| Размах активных уровней сигналов | 1.0 В | 1.0 В | 0.8 В |
| Диапазон напряжений "точка-точка" (RSL) | 1.5-2.5 В | 1.5-2.5 В | 1.0-1.8 В |
| Опорное напряжение | 2.0 В | 2.0 В | 1.4 В |
| Число высокоскоростных сигналов RSL | 13 | 13 | 30 |
| Число выводов для каждого из каналов | 32 | 32 | 72 |
| Тип корпуса микросхемы RDRAM | SHP/SVP | SHP/SVP | CSP (EBD/CBD) |
Технология Direct Rambus DRAM, разработанная компанией Rambus, представляет собой высокоскоростную замкнутую систему функционирования, которая имеет свою адаптированную логику управления и точно рассчитанные параметры. DRDRAM позволяет достичь очень больших пиковых скоростей передачи данных: до 1.6 Гбайт/с на один канал и до 6.4 Гбайт/с при четырех каналах. Вся подсистема состоит из следующих компонентов: основной контроллер (RMC — Rambus Memory Controller), канал (RC — Rambus Channel), разъем для модулей (RRC - Rambus RIMM Connector), модуль памяти (RIMM — Rambus In-line Memory Module), генератор дифференциальных синхроимпульсов (DRCG — Direct Rambus Clock Generator) и сами микросхемы памяти (RDRAM — Rambus DRAM). Физические, электрические и логические принципы и согласования, применяемые в системе, определены компанией Rambus и должны строго выполняться всеми производителями для соблюдения абсолютной совместимости ее частей, так она функционирует на очень большой частоте 600/711/800 МГц, синхронизируясь сигналом 300/350/400 MГц соответственно.
